光刻機(jī)分為接觸式（用于低分辨率芯片）和投影式（用于高分辨率芯片），它們的區(qū)別在于光掩模與晶圓的接觸方式。接觸式光刻機(jī)直接接觸，分辨率低；投影式光刻機(jī)使用透鏡系統(tǒng)投影，分辨率高。此外，還有更先進(jìn)的光刻技術(shù)，如浸沒(méi)式、euv 和多電子束光刻機(jī)。

光刻機(jī)的用途分類(lèi)

光刻機(jī)是一種用于在半導(dǎo)體芯片上創(chuàng)建精密圖案的至關(guān)重要的設(shè)備。它是現(xiàn)代電子產(chǎn)品制造過(guò)程中必不可少的工具。根據(jù)其用途，光刻機(jī)可分為以下兩大類(lèi)：

接觸式光刻機(jī)

• 用途：主要用于制造低分辨率芯片，如 DRAM 和 NAND 閃存。

• 特點(diǎn)：

  • 光掩模直接接觸晶圓表面。
  • 分辨率較低，約為 1 微米或以上。
  • 適用于大批量生產(chǎn)。

投影式光刻機(jī)

• 用途：制造高分辨率芯片，如 CPU 和圖像傳感器。

• 特點(diǎn)：

  • 光掩模與晶圓之間有一段距離。
  • 通過(guò)透鏡系統(tǒng)將光掩模圖案投影到晶圓上。
  • 分辨率更高，可達(dá)數(shù)十納米。
  • 適用于制造先進(jìn)的集成電路。

光刻機(jī)的分類(lèi)與特點(diǎn)分析

浸沒(méi)式光刻機(jī)

浸沒(méi)式光刻機(jī)在鏡頭和晶圓之間引入液體，以減少光線的衍射，從而提高分辨率。這是目前最先進(jìn)的光刻技術(shù)。

極紫外（EUV）光刻機(jī)

EUV 光刻機(jī)使用波長(zhǎng)更短的極紫外光，可以創(chuàng)建比傳統(tǒng)光刻更精細(xì)的圖案。這是下一代光刻技術(shù)的領(lǐng)跑者。

多電子束光刻機(jī)

多電子束光刻機(jī)使用多束電子束直接在晶圓上創(chuàng)建圖案，而不是使用光掩模。它可以實(shí)現(xiàn)最高的精度和分辨率，但速度較慢，主要用于研究和開(kāi)發(fā)。