根據(jù)光源類型，光刻機分為：i線、krf、arf 和 euv 光刻機。光刻機的性能由分辨率、套刻精度、曝光場、吞吐量、生產力和波長等參數(shù)描述，其中波長決定了分辨率和套刻精度。

光刻機的分類

光刻機根據(jù)其光源類型可分為：

• i線光刻機：使用波長為 365 納米的 i線準分子激光作為光源。
• KrF 光刻機：使用波長為 248 納米的 KrF 準分子激光作為光源。
• ArF 光刻機：使用波長為 193 納米的 ArF 準分子激光作為光源。
• EUV 光刻機：使用波長為 13.5 納米的極紫外光 (EUV) 作為光源。

光刻機的參數(shù)

光刻機的性能由以下參數(shù)描述：

• 分辨率：刻劃在硅片上最小特征尺寸的能力，通常以納米 (nm) 為單位測量。
• 套刻精度：對齊不同光刻層的精度，通常以納米為單位測量。
• 曝光場：一次曝光中暴露的硅片面積，通常以平方毫米 (mm2) 為單位測量。
• 吞吐量：每小時可以加工的晶圓數(shù)，通常以晶圓每小時 (wph) 為單位測量。
• 生產力：吞吐量和套刻精度之間的平衡，反映了光刻機的整體效率。
• 波長：光源的波長，決定了光刻機的分辨率和套刻精度。
• 光刻膠：對光敏感的材料，用于將掩膜上的圖案轉移到硅片上。