光刻機根據光源類型、透鏡類型、投影方式、分辨率、產能、自動化程度和成本分類。光刻機的應用和技術需求隨著半導體技術的進步而不斷變化，推動著光刻機分類的演變。
光刻機的分類
光刻機是一種用于在半導體晶片上創建微小圖案的關鍵設備，其分類基于以下幾個主要特征：
1. 光源類型
- 紫外光 (UV) 光刻機：使用紫外光，波長范圍約為 193nm 至 248nm。
- 深紫外光 (DUV) 光刻機：使用 13.5nm 至 193nm 波長的光，可實現更高的分辨率。
- 極紫外光 (EUV) 光刻機：使用 13.5nm 波長的光，可實現最先進的芯片設計。
2. 透鏡類型
- 步進式透鏡：在晶片表面一次曝光一小部分區域，然后移動晶片進行后續曝光。
- 掃描式透鏡：使用光束掃描整個晶片表面，實現更快的曝光速度和更高的精度。
3. 投影方式
- 接觸式光刻機：光刻掩模直接接觸晶片表面。
- 接近式光刻機：存在少量間隙，光刻掩模接近但未接觸晶片表面。
- 投影式光刻機：光刻掩模與晶片之間存在一定距離，光線通過透鏡投影到晶片上。
4. 分辨率
- 關鍵尺寸 (CD)：光刻機可生成的最小圖案尺寸。
- 節點：半導體技術節點的縮小，需要更小的關鍵尺寸。
5. 產能
- 晶片尺寸：光刻機可處理的不同尺寸的晶片。
- 吞吐量：光刻機每小時可曝光的晶片數量。
6. 其他因素
- 自動化程度：光刻機中自動執行任務的能力。
- 成本：光刻機是昂貴的設備，成本因功能不同而異。
不同的光刻機類型適用于不同的應用和技術需求。隨著半導體技術的發展，光刻機的分類也在不斷演變，以滿足不斷增長的需求。
